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FDN306P相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDN306P

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列PowerTrench®
  • 零件状态有源
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）12V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.6A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）17nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1138pF @ 6V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）500mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SuperSOT-3
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

其它信息

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