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分立器件和功率模块-ON（安森美）

分立器件和功率模块

我们的产品阵容提供全系列高、中、低压功率分立器件以及先进的功率模块方案，包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模块、二极管、SiC 二极管和智能功率模块 (IPM)。

By Technology

MOSFET
用于各种应用的广泛的低、中、高压和双MOSFET产品组合。
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功率模块
先进的电源模块, 包括 IGBT, MOSFET, SiC, Si/SiC 混合模块, 二极管, SiC 二极管, 和智能功率模块 (IPM).
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碳化硅 (SiC)
支持宽禁带电源设计的完整元器件生态系统，包括SiC二极管、SiC MOSFET和SiC模块。
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保护MOSFET
各种低侧和高侧智能分立保护器件，提供同类最佳的浪涌电流管理。
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整流器
标准和快恢复整流器，提供低功率损耗和高能效的理想性能特性。
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肖特基二极管和肖特基整流器
低损耗和高电流肖特基整流器和二极管，非常适合用作整流器、逆变器和二极管。
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音频晶体管
用于高功率音频电路应用的音频晶体管。
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达林顿晶体管
用于通用放大器和低速开关应用的达林顿晶体管和晶体管对。
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ESD保护二极管
专门设计用于提供 ESD 和浪涌保护的保护二极管和阵列。
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通用的低VCE(sat)晶体管
宽广阵容的双极 NPN、PNP 和互补晶体管，包括低 VCE(sat) 晶体管。
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数字晶体管(BRT)
集成偏置功能的偏置电阻晶体管（BRT），用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。
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JFET
用于低噪声放大器和阻抗转换、模拟开关和斩波器应用的N沟道、P沟道和NPN极性JFET。
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小信号开关二极管
高速、小信号开关二极管产品阵容，适用于不同应用的一般用途。
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齐纳二极管
专为稳压电路设计，提供广泛的工作电压和额定功率。
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RF晶体管
专为高频和通用放大器应用而设计的射频晶体管。
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RF二极管
用于高频应用的射频二极管组合，包括PIN二极管、肖特基势垒二极管和可变电容。
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毫米波集成电路 （雷达)
单片微波集成电路（MMIC）射频放大器和混频器，提供平稳和高增益特性。
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IGBT
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在高性能电源转换应用中提供最高可靠性。
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ON安森美产品线
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